IRF5806

Name: IRF5806
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	86mOhm @ 4A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	594 pF @ 15 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	HEXFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)
最大功耗	2W (Ta)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)