IRF3610STRLPBF

Name: IRF3610STRLPBF
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6mOhm @ 62A, 10V
基础料号	IRF3610
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5380 pF @ 25 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	HEXFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	103A (Tc)