IQE220N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

IQE220N15NM5CGATMA1

Datasheet

模拟与电源

TRENCH >=100V

在产9-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 75 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™ 5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 46µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc)
最大功耗2.5W (Ta), 100W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case9-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TTFN-9-3

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)