IPZA65R029CFD7XKSA1

Infineon Technologies

IPZA65R029CFD7XKSA1

Datasheet

模拟与电源

650V FET COOLMOS TO247

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 35.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7149 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列CoolMOS™ CFD7
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.79mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C69A (Tc)
最大功耗305W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-4
供应商器件封装PG-TO247-4-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)