IPZ65R095C7

Infineon Technologies

IPZ65R095C7

模拟与电源

IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 11.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2140 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 590µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
最大功耗128W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-247-4
供应商器件封装PG-TO247-4-1

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)