IPZ60R125P6FKSA1

Infineon Technologies

IPZ60R125P6FKSA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4

停产/老旧TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 14.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3330 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列CoolMOS™ P6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.21mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37.9A (Tc)
最大功耗219W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-4
供应商器件封装PG-TO247-4

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)