IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

IPZ40N04S55R4ATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™-5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 17µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
最大功耗48W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101