IPW65R145CFD7AXKSA1

Infineon Technologies

IPW65R145CFD7AXKSA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 8.5A, 10V
基础料号IPW65R145
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1694 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 420µA

电气

漏源电压650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
最大功耗98W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装PG-TO247-3

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)