IPW65R045C7

Infineon Technologies

IPW65R045C7

模拟与电源

46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 24.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4340 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列CoolMOS™ C7
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1.25mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A (Tc)
最大功耗227W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装PG-TO247-3-41

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)