IPTG025N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

IPTG025N10NM5ATMA1

Datasheet

模拟与电源

TRENCH >=100V PG-HSOG-8

在产8-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 150A 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8800 pF @ 50 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 158µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 206A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 214W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOG-8-1

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)