IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

IPT60R065S7XTMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF

在产8-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 8A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1932 pF @ 300 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™S7
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 490µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
最大功耗167W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOF-8-2

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)