IPT044N15N5ATMA1

Infineon Technologies

IPT044N15N5ATMA1

Datasheet

模拟与电源

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

在产8-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 75 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 221µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C174A (Tc)
最大功耗300W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOF-8

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)