IPP60R040S7XKSA1

Infineon Technologies

IPP60R040S7XKSA1

Datasheet

模拟与电源

HIGH POWER_NEW PG-TO220-3

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 13A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3127 pF @ 300 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 790µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
最大功耗245W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)