IPP120P04P4L03AKSA2

Name: IPP120P04P4L03AKSA2
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3

在产TO-220-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 100A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	15000 pF @ 25 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	OptiMOS®-P2
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+5V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 340µA

漏源电压	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
最大功耗	136W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)