IPP085N06LGAKSA1

Infineon Technologies

IPP085N06LGAKSA1

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 80A. 10V
基础料号IPP085N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 30 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 125µA

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3-1