IPN80R2K0P7

Infineon Technologies

IPN80R2K0P7

模拟与电源

IPN80R2K0 - 800V COOLMOS N-CHANN

在产TO-261-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 940mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds175 pF @ 500 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 50µA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
最大功耗6.4W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-261-3
供应商器件封装PG-SOT223-3-1

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)