IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

IPN70R360P7SATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds517 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™ P7
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 150µA

电气

漏源电压700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.5A (Tc)
最大功耗7.2W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装PG-SOT223

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)