IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

IPN65R1K5CEATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223

已停产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
系列CoolMOS™ CE
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 100µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.2A (Tc)
最大功耗5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装PG-SOT223

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)