IPN60R1K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Datasheet

模拟与电源

CONSUMER PG-SOT223-3

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™ PFD7
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Tc)
最大功耗6W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装PG-SOT223-4

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)