IPL65R725CFDAUMA1

Name: IPL65R725CFDAUMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 5.8A THIN-PAK

停产/老旧4-PowerTSFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	725mOhm @ 2.1A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	615 pF @ 100 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	CoolMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
最大功耗	62.5W (Tc)

工作温度	-40°C~150°C(TJ)