IPL60R385CP

Infineon Technologies

IPL60R385CP

模拟与电源

COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

在产4-PowerTSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs385mOhm @ 5.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds790 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™ CP
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 340µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
最大功耗83W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case4-PowerTSFN
供应商器件封装PG-VSON-4-1

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)