IPL60R365P7AUMA1

Infineon Technologies

IPL60R365P7AUMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON

在产4-PowerTSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs365mOhm @ 2.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds555 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™ P7
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 140µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
最大功耗46W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
供应商器件封装PG-VSON-4

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)