IPL60R360P6SATMA1

Infineon Technologies

IPL60R360P6SATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1010 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™ P6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 370µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.3A (Tc)
最大功耗89.3W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-ThinPak (5x6)

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)