IPL60R255P6AUMA1

Infineon Technologies

IPL60R255P6AUMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON

停产/老旧4-PowerTSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs255mOhm @ 6.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列CoolMOS™ P6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 530µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.9A (Tc)
最大功耗126W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
供应商器件封装PG-VSON-4

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)