IPL60R225CFD7AUMA1

Name: IPL60R225CFD7AUMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 12A VSON-4-1

在产4-PowerTSFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	225mOhm @ 4.9A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1015 pF @ 400 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	CoolMOS™ CFD7
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 240µA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
最大功耗	68W (Tc)

工作温度	-40°C~150°C(TJ)