IPI80CN10NG

Infineon Technologies

IPI80CN10NG

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds716 pF @ 50 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 12µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
最大功耗31W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)