IPI60R280C6

Infineon Technologies

IPI60R280C6

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3

在产TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 6.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列CoolMOS™ C6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 430µA

电气

漏源电压600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.8A (Tc)
最大功耗104W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3-1

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)