IPI600N25N3G

Name: IPI600N25N3G
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

IPI600N25 - 12V-300V N-CHANNEL P

在产TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 25A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2350 pF @ 100 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	OptiMOS™ 3
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 90µA

漏源电压	250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Tc)
最大功耗	136W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)