IPDD60R075CFD7XTMA1

Infineon Technologies

IPDD60R075CFD7XTMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10

在产10-PowerSOP Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 11.4A, 10V
基础料号IPDD60
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2102 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™ CFD7
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 570µA

电气

漏源电压600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
最大功耗266W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case10-PowerSOP Module
供应商器件封装PG-HDSOP-10-1

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)