IPD90P03P4L04ATMA2

Infineon Technologies

IPD90P03P4L04ATMA2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 90A, 10V
基础料号IPD90P
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11300 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+5V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 253µA

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
最大功耗137W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3-11

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)