IPD80R4K5P7

Name: IPD80R4K5P7
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5Ohm @ 400mA, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	80 pF @ 500 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	CoolMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA

漏源电压	800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Tc)
最大功耗	13W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)