IPD78CN10NG

Infineon Technologies

IPD78CN10NG

模拟与电源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds716 pF @ 50 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™ 2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 12µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
最大功耗31W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3-313

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)