IPD70R1K4CEAUMA1

Infineon Technologies

IPD70R1K4CEAUMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3

已停产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 1A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
系列CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 130µA

电气

漏源电压700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.4A (Tc)
最大功耗53W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)