IPD60R3K3C6

Infineon Technologies

IPD60R3K3C6

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

停产/老旧TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds93 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态停产/老旧
系列448
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 40µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Tc)
最大功耗18.1W (Tc)

机械

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)