IPD530N15N3GATMA1

Name: IPD530N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	53mOhm @ 18A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	887 pF @ 75 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 35µA

漏源电压	150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)
最大功耗	68W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)