IPD50R500CE

Infineon Technologies

IPD50R500CE

模拟与电源

IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 2.3A, 13V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds433 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 200µA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Tc)
最大功耗57W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3-344

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)