IPD50R280CEAUMA1

Name: IPD50R280CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 13A TO252

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 4.2A, 13V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	773 pF @ 100 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	CoolMOS™ CE
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 350µA

漏源电压	500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Ta)
最大功耗	119W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)