IPD30N12S3L31ATMA1

Infineon Technologies

IPD30N12S3L31ATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CHANNEL_100+

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1970 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列*
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 29µA

电气

漏源电压120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
最大功耗57W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101