IPD30N06S3-24

Infineon Technologies

IPD30N06S3-24

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS-T
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3-11