IPD18DP10LMATMA1

Name: IPD18DP10LMATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

TRENCH >=100V PG-TO252-3

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	178mOhm @ 13A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 50 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
系列	448
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1.04mA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
最大功耗	3W (Ta), 83W (Tc)

Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	PG-TO252-3

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)