IPD12CNE8N G

Infineon Technologies

IPD12CNE8N G

模拟与电源

MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

停产/老旧TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.4mOhm @ 67A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4340 pF @ 40 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 83µA

电气

漏源电压85 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C67A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)