IPD052N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

IPD052N10NF2SATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 70A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3600 pF @ 50 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列StrongIRFET™ 2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 84µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 118A (Tc)
最大功耗3W (Ta), 150W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)