通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 10V |
|---|---|
| 基础料号 | IPC218 |
| FET Type | N-Channel |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | OptiMOS™ 3 |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
机械
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| 供应商器件封装 | Die |