IPC022N03L3X1SA1

Infineon Technologies

IPC022N03L3X1SA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL

已停产Die模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 2A, 10V
基础料号IPC022N
FET TypeN-Channel
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)

机械

封装Bulk
Package / CaseDie
供应商器件封装Sawn on foil