IPC020N10L3X1SA1

Infineon Technologies

IPC020N10L3X1SA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

在产Die模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
基础料号IPC020N
FET TypeN-Channel
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 12µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)

机械

封装Bulk
Package / CaseDie
供应商器件封装Sawn on foil