IPBE65R190CFD7AATMA1

Infineon Technologies

IPBE65R190CFD7AATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7

在产TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 6.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1291 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 320µA

电气

漏源电压650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Tc)
最大功耗77W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装PG-TO263-7-11

环境

GradeAutomotive
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101