IPBE65R050CFD7AATMA1

Infineon Technologies

IPBE65R050CFD7AATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7

在产TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 24.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4975 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.24mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
最大功耗227W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
供应商器件封装PG-TO263-7-3-10

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)