IPB95R130PFD7ATMA1

Infineon Technologies

IPB95R130PFD7ATMA1

Datasheet

模拟与电源

HIGH POWER_NEW

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 25.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4170 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1.25mA

电气

漏源电压950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36.5A (Tc)
最大功耗227W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装PG-TO263-3-2

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)