IPB720P15LMATMA1

Infineon Technologies

IPB720P15LMATMA1

Datasheet

模拟与电源

TRENCH >=100V PG-TO263-3

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 37A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 75 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 5.55mA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Ta), 41A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 300W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-3

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)