IPB70P04P409ATMA2

Infineon Technologies

IPB70P04P409ATMA2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3

停产/老旧模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1mOhm @ 70A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4810 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 120µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C72A (Tc)
最大功耗75W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
供应商器件封装PG-TO263-3-2

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)